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BF994/MG

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BF994/MG 技術(shù)參數(shù)
  • BF992,215 功能描述:MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類(lèi)型:N 通道雙門(mén) 頻率:200MHz 增益:- 電壓 - 測(cè)試:10V 額定電流:40mA 噪聲系數(shù):1.2dB 電流 - 測(cè)試:15mA 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:20V 封裝/外殼:TO-253-4,TO-253AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-143B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BF991,215 功能描述:MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類(lèi)型:N 通道雙門(mén) 頻率:100MHz 增益:29dB 電壓 - 測(cè)試:10V 額定電流:20mA 噪聲系數(shù):0.7dB 電流 - 測(cè)試:10mA 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:20V 封裝/外殼:TO-253-4,TO-253AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-143B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BF959ZL1G 功能描述:RF Transistor NPN 20V 100mA 700MHz 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類(lèi)型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 頻率 - 躍遷:700MHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):3dB @ 200MHz 增益:- 功率 - 最大值:625mW 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 20mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 BF959ZL1 功能描述:RF Transistor NPN 20V 100mA 700MHz 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類(lèi)型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 頻率 - 躍遷:700MHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):3dB @ 200MHz 增益:- 功率 - 最大值:625mW 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 20mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 BF959-UV1/3 功能描述:CCFL, Ultraviolet (UV) Narrow Spectrum 375V Start, 150V Operating 5mA 0.15μW, cm2 @ 1" 9.0mm x 59mm 制造商:jkl components corp. 系列:- 零件狀態(tài):過(guò)期 大小/尺寸:9.0mm x 59mm 類(lèi)型:CCFL - 紫外線(UV)窄頻譜 電壓:375V 啟動(dòng),150V 操作 電流:5mA 輸出:0.15μW,cm2 @ 1" 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BF999E6327HTSA1 BF999E6433HTMA1 BFA.0B.160.LN BFA.0E.100.NAS BFA.1E.100.NAS BFA.1E.103.BAS BFA.1K.100.NAE BFA.2E.100.NAS BFA.2K.100.KZS BFA.2K.100.NAS BFA.2V.100.NAZ BFA.3E.100.NAS BFA.3K.100.NAS BFA.3K.170.800EN BFA.4E.100.NAS BFA.4S.100.NAS BFA.5S.100.NAS BFA.MH.100.XAZ
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