BFG403W115

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
RF WIDEBAND TRANSISTOR NPN 4.5V 17GHZ

BFG403W115 技術(shù)參數(shù)

BFG403W,115 功能描述:TRANS NPN 4.5V 17GHZ SOT343R 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:4.5V 頻率 - 躍遷:17GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2GHz 增益:20dB ~ 22dB 功率 - 最大值:16mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 3mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3.6mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-82A，SOT-343 供應(yīng)商器件封裝:CMPAK-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BFG35,115 功能描述:TRANS NPN 10V 150MA SOT223 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:18V 頻率 - 躍遷:4GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:1W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:25 @ 100mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SC-73 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BFG325W/XR,115 功能描述:TRANS NPN 6V 35MA 14GHZ SOT343R 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:6V 頻率 - 躍遷:14GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.1dB @ 2GHz 增益:18.3dB 功率 - 最大值:210mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 15mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-82A，SOT-343 供應(yīng)商器件封裝:CMPAK-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BFG325/XR,215 功能描述:TRANS NPN 6V 35MA 14GHZ SOT143R 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:6V 頻率 - 躍遷:14GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.1dB @ 2GHz 增益:18.3dB 功率 - 最大值:210mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 15mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-143R 供應(yīng)商器件封裝:SOT-143R 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BFG310W/XR,115 功能描述:TRANS NPN 6V 10MA 14GHZ SOT343R 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:6V 頻率 - 躍遷:14GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1dB @ 2GHz 增益:18dB 功率 - 最大值:60mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-82A，SOT-343 供應(yīng)商器件封裝:CMPAK-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BFG505/X,215 BFG505/X,235 BFG520,215 BFG520,235 BFG520/X,215 BFG520/X,235 BFG520/XR,215 BFG520/XR,235 BFG520W,115 BFG520W/X,115 BFG540,215 BFG540/X,215 BFG540/XR,215 BFG540W,115 BFG540W/X,115 BFG540W/XR,135 BFG541,115 BFG590,215