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BFG67/X(V12)

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BFG67/X(V12) 技術(shù)參數(shù)
  • BFG67,235 功能描述:RF Transistor NPN 10V 50mA 8GHz 380mW Surface Mount SOT-143B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):10V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 增益:- 功率 - 最大值:380mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 15mA,5V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-253-4,TO-253AA 供應商器件封裝:SOT-143B 標準包裝:10,000 BFG67,215 功能描述:TRANS RF NPN 8GHZ 10V SOT143B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):10V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 增益:- 功率 - 最大值:380mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 15mA,5V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-253-4,TO-253AA 供應商器件封裝:SOT-143B 標準包裝:1 BFG591,115 功能描述:TRANS NPN 15V 7GHZ SOT-223 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):15V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):- 增益:- 功率 - 最大值:2W 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 70mA,8V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):200mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:SC-73 標準包裝:1 BFG590/X,215 功能描述:TRANS RF NPN 15V 5GHZ SOT143B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):15V 頻率 - 躍遷:5GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):- 增益:- 功率 - 最大值:400mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 70mA,8V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):200mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-253-4,TO-253AA 供應商器件封裝:SOT-143B 標準包裝:1 BFG590,215 功能描述:RF Transistor NPN 15V 200mA 5GHz 400mW Surface Mount SOT-143B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):15V 頻率 - 躍遷:5GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):- 增益:- 功率 - 最大值:400mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 70mA,8V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):200mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-253-4,TO-253AA 供應商器件封裝:SOT-143B 標準包裝:3,000 BFH14S1P002 BFH16S1P002 BFH181P002 BFH2040857 BFH2219P002 BFH2220P002 BFH2410P002 BFH2410PW002 BFH2428P002 BFH2812P002 BFH-2A-05 BFH-2A-05C BFH-2A-05E BFH-2A-12C BFH-2A-12E BFH-2C-05 BFH-2C-12 BFH-3A-05
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