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BFT92W115

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  • BFT92W115
    BFT92W115

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  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • Philips

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  • BFT92W115
    BFT92W115

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  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

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  • BFT92W115
    BFT92W115

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  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：史仙雁

    電話：19129911934（手機(jī)優(yōu)先微信同號）0755-82813018

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室

  • 2300

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  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • RF WIDEBAND TRANSISTOR PNP -15V 4GHZ
BFT92W115 技術(shù)參數(shù)
  • BFT92W,115 功能描述:TRANS PNP 35MA 15V 4GHZ SOT323 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:4GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:2.5dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 15mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SOT-323 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BFT92E6327 功能描述:RF Transistor PNP 15V 25mA 5GHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:2dB ~ 3.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:8dB ~ 13.5dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:15 @ 15mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 BFT92,215 功能描述:TRANS PNP 25MA 15V 5GHZ SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:2.5dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 14mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BFT46,215 功能描述:JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:25V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:200μA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:10mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:1.2V @ 0.5nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 功率 - 最大值:250mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BFT25A,215 功能描述:TRANS NPN 5V 5GHZ SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:5V 頻率 - 躍遷:5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.8dB ~ 2dB @ 1GHz 增益:- 功率 - 最大值:32mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 500μA，1V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:6.5mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BFU520XRR BFU520XRVL BFU520XVL BFU520YF BFU520YX BFU530AR BFU530AVL BFU530R BFU530VL BFU530WF BFU530WX BFU530XAR BFU530XRR BFU530XRVL BFU530XVL BFU550AR BFU550AVL BFU550R
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