BG 3130R E6327

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功能描述
射頻MOSFET小信號晶體管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode
RoHS
否
制造商
NXP Semiconductors
配置
Dual Dual Gate
晶體管極性
N-Channel
電阻汲極/源極 RDS（導通）
汲極/源極擊穿電壓
6 V
閘/源擊穿電壓
6 V
漏極連續(xù)電流
30 mA
功率耗散
180 mW
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SC-88
封裝
Reel

BG 3130R E6327 技術參數(shù)

BFY90 功能描述:RF Transistor NPN 15V 25mA 1.4GHz 200mW Through Hole TO-72 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:1.4GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:5.5dB @ 800MHz 增益:23dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 25mA，1V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25mA 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AF，TO-72-4 金屬罐供應商器件封裝:TO-72 標準包裝:2,000 BFY193PZZZA1 功能描述:RF Transistor NPN 12V 80mA 7.5GHz 580mW Surface Mount MICRO-X1 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:7.5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:2.3dB ~ 2.9dB @ 2GHz 增益:12.5dB ~ 13.5dB 功率 - 最大值:580mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 30mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:MICRO-X1 供應商器件封裝:MICRO-X1 標準包裝:1 BFX34 功能描述:TRANS NPN 60V 5A TO-39 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 500mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 2A，2V 功率 - 最大值:870mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:100 BFW-80 功能描述:BUSS FUSE WIRE .189 DIA. 制造商:eaton 系列:* 零件狀態(tài):有效標準包裝:1 BFW-8 功能描述:BUSS FUSE WIRE .049 DIA. 制造商:eaton 系列:* 零件狀態(tài):有效標準包裝:1 BG0702-B044-00L-00 BG0702-B044-00S-00 BG0702-B04-500-0 BG0702-B045-000-00 BG0702-B045-00L-00 BG0702-B045-00S-00 BG0702-B05-300-0 BG0702-B053-000-00 BG0702-B053-00L-00 BG0702-B053-00S-00 BG0702-B05-400-0 BG0702-B054-000-00 BG0702-B054-00L-00 BG0702-B054-00S-00 BG0702-B055-000-00 BG0702-B055-00L-00 BG0702-B055-00S-00 BG0703-B04-100-0