BR3A200

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BR3A200 技術(shù)參數(shù)

BR38 功能描述:Bridge Rectifier Single Phase 800V 3A Through Hole BR-3 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:單相電壓 - 峰值反向（最大值）:800V 電流 - DC 正向（If）:3A 安裝類型:通孔封裝/外殼:4-方形，BR-3 供應(yīng)商器件封裝:BR-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BR36 功能描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 3A Through Hole BR-3 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:單相電壓 - 峰值反向（最大值）:600V 電流 - DC 正向（If）:3A 安裝類型:通孔封裝/外殼:4-方形，BR-3 供應(yīng)商器件封裝:BR-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BR35H640FJ-WCE2 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器電可擦除可編程只讀存儲器 Serial-SPI 64Kb RoHS:否制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時(shí)鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 BR35H128F-WCE2 功能描述:IC EEPROM 128KBIT 5MHZ 8SOP 制造商:rohm semiconductor 系列:汽車級，AEC-Q100 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售存儲器類型:非易失存儲器格式:EEPROM 技術(shù):EEPROM 存儲容量:128Kb （16K x 8）時(shí)鐘頻率:5MHz 寫周期時(shí)間 - 字，頁:5ms 存儲器接口:SPI 電壓 - 電源:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BR35H128FJ-WCE2 功能描述:IC EEPROM 128KBIT 5MHZ 8SOP 制造商:rohm semiconductor 系列:汽車級，AEC-Q100 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售存儲器類型:非易失存儲器格式:EEPROM 技術(shù):EEPROM 存儲容量:128Kb （16K x 8）時(shí)鐘頻率:5MHz 寫周期時(shí)間 - 字，頁:5ms 存儲器接口:SPI 電壓 - 電源:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SOP-J 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BR3C1AC BR3C1UC BR3C20AC BR3C20UC BR3C25AC BR3C25UC BR3C2AC BR3C2UC BR3C30AC BR3C30UC BR3C32AC BR3C32UC BR3C35UC BR3C3AC BR3C3UC BR3C40AC BR3C40UC BR3C4AC