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BSC037N025SG

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • BSC037N025SG
    BSC037N025SG

    BSC037N025SG

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • INFINEON

  • P-DSO-8

  • 09+PB

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • BSC037N025SG
    BSC037N025SG

    BSC037N025SG

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人:張先生

    電話:0755-23903058

    地址:深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F

  • 16800

  • INFINEON/英飛凌

  • TDSON-8

  • 22+

  • -
  • 每一片都來自原廠,正品保證

  • BSC037N025SG
    BSC037N025SG

    BSC037N025SG

  • 深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-88608801多線17727932378

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F

  • 9600

  • SuperSO8

  • INFINEON

  • 17+

  • -
  • 原裝正品。優(yōu)勢供應(yīng)

  • BSC037N025SG
    BSC037N025SG

    BSC037N025SG

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • QFN

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨!

  • BSC037N025SG
    BSC037N025SG

    BSC037N025SG

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人:張小姐

    電話:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場D座16層18B

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 14481

  • INFINEON/英飛凌

  • SUPERSO8

  • 22+

  • -
  • 1/1頁 40條/頁 共8條 
  • 1
BSC037N025SG PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET OptiMOS2 PWR-MOSFET N-CH
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
BSC037N025SG 技術(shù)參數(shù)
  • BSC037N025S G 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):21A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.7 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):29nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3660pF @ 15V 功率 - 最大值:69W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BSC036NE7NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):75V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.6 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 110μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):63.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):4400pF @ 37.5V 功率 - 最大值:156W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8(5.15x6.15) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC035N10NS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.5 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 115μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):87nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):6500pF @ 50V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC035N04LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):21A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.5 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 36μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):64nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):5100pF @ 20V 功率 - 最大值:69W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC034N06NSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.4 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.3V @ 41μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):41nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3000pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC042NE7NS3GATMA1 BSC046N02KS G BSC046N02KSGAUMA1 BSC046N10NS3GATMA1 BSC047N08NS3GATMA1 BSC048N025S G BSC0500NSIATMA1 BSC0501NSIATMA1 BSC0502NSIATMA1 BSC0503NSIATMA1 BSC0504NSIATMA1 BSC050N03LS G BSC050N03LSGATMA1 BSC050N03MSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 BSC050NE2LS BSC050NE2LSATMA1 BSC052N03LS
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