BSH207 /T3

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功能描述
MOSFET TAPE13 MOSFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

BSH207 /T3 技術(shù)參數(shù)

BSH205G2VL 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.3A TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.3A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:6.5nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:418pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:480mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:170 毫歐 @ 2A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:10,000 BSH205G2R 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:6.5nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:418pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:480mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:170 毫歐 @ 2A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 BSH205,215 功能描述:MOSFET P-CH 12V 0.75A SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:750mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 430mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:680mV @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:200pF @ 9.6V 功率 - 最大值:417mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）標準包裝:1 BSH203,215 功能描述:MOSFET P-CH 30V 470MA SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:470mA（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:680mV @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.2nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:110pF @ 24V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:417mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:900 毫歐 @ 280mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 BSH202,215 功能描述:MOSFET P-CH 30V 520MA SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:520mA（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.9nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:80pF @ 24V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:417mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:900 毫歐 @ 280mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 BSL202SNL6327HTSA1 BSL205NH6327XTSA1 BSL205NL6327HTSA1 BSL207NH6327XTSA1 BSL207NL6327HTSA1 BSL207SP BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPL6327HTSA1 BSL211SP BSL211SPH6327XTSA1 BSL211SPL6327HTSA1 BSL211SPT BSL214NH6327XTSA1 BSL214NL6327HTSA1 BSL215CH6327XTSA1 BSL215CL6327HTSA1 BSL215PL6327HTSA1 BSL296SNH6327XTSA1