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BSL211SPXTIN

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BSL211SPXTIN 技術(shù)參數(shù)
  • BSL211SPT 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4.7A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):67 毫歐 @ 4.7A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 25μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):12.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):654pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:P-TSOP6-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSL211SPL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4.7A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):67 毫歐 @ 4.7A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 25μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):12.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):654pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSOP6-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSL211SPH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4.7A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):67 毫歐 @ 4.7A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 25μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):12.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):654pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:P-TSOP6-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSL211SP 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4.7A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):67 毫歐 @ 4.7A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 25μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):12.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):654pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:P-TSOP6-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSL207SPL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 20V 6A 6-TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):6A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):41 毫歐 @ 6A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 40μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):20nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1007pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSOP6-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSL305SPEH6327XTSA1 BSL306NH6327XTSA1 BSL306NL6327HTSA1 BSL307SP BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPL6327HTSA1 BSL307SPT BSL308CH6327XTSA1 BSL308CL6327HTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEL6327HTSA1 BSL314PEH6327XTSA1 BSL314PEL6327HTSA1 BSL315PL6327HTSA1 BSL316CH6327XTSA1 BSL316CL6327HTSA1 BSL372SNH6327XTSA1 BSL373SNH6327XTSA1
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