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BSL308PEL6327HTSA1

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    BSL308PEL6327HTSA1

    BSL308PEL6327HTSA1

  • 深圳市眾芯微電子有限公司
    深圳市眾芯微電子有限公司

    聯(lián)系人:陳小姐

    電話:0755-8320801015711992892

    地址:都會軒3607

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • PG-TSOP6-6

  • 19+

  • -
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  • BSL308PEL6327HTSA1
    BSL308PEL6327HTSA1

    BSL308PEL6327HTSA1

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

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  • 1
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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET P-CH 30V 2A 6-Pin TSOP T/R
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • P-KANAL - Tape and Reel
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET P-CH 30V 2A 6TSOP
BSL308PEL6327HTSA1 技術(shù)參數(shù)
  • BSL308PEH6327XTSA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:汽車級,AEC-Q101,OptiMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平柵極,4.5V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):80 毫歐 @ 2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 11μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):500pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSOP6-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSL308CL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.3A,2A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):80 毫歐 @ 2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 11μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):500nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):275pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSL308CH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:汽車級,AEC-Q101,OptiMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 和 P 溝道互補(bǔ)型 FET 功能:邏輯電平柵極,4.5V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.3A,2A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):57 毫歐 @ 2.3A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 11μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):275pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSOP6-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSL307SPT 功能描述:MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):43 毫歐 @ 5.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 40μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):29nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):805pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:P-TSOP6-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSL307SPL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 5.5A TSOP6 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):43 毫歐 @ 5.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 40μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):29nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):805pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSOP6-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSL802SNH6327XTSA1 BSL802SNL6327HTSA1 BSL806NH6327XTSA1 BSL806NL6327HTSA1 BSM BSM-015G-LF BSM080D12P2C008 BSM100GB60DLC BSM100GB60DLCHOSA1 BSM120D12P2C005 BSM150GB60DLCHOSA1 BSM150GD60DLC BSM180D12P2C101 BSM180D12P3C007 BSM1-C BSM1-X BSM200GB60DLC BSM200GB60DLCHOSA1
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