您好,歡迎來到買賣IC網(wǎng) 登錄 | 免費注冊
您現(xiàn)在的位置:買賣IC網(wǎng) > B字母型號搜索 >

BSM(SKM)191F

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作

沒找到與 " BSM(SKM)191F " 相關(guān)的供應(yīng)商

您可以:

1. 縮短或修改您的搜索詞,重新搜索

2. 發(fā)布緊急采購,3分鐘左右您將得到回復(fù) 發(fā)布緊急采購

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
BSM(SKM)191F PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
BSM(SKM)191F 技術(shù)參數(shù)
  • BSM 功能描述:9V MALE SNAP 制造商:mpd (memory protection devices) 系列:- 零件狀態(tài):有效 電池類型,功能:9V,卡入式觸點(單) 樣式:觸點,卡入式(負極) 電池尺寸:9V 電池數(shù):- 電池系列:- 安裝類型:自定義 端子類型:- 板上高度:- 工作溫度:- 標準包裝:1,000 BSL806NL6327HTSA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 2.3A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.3A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):57 毫歐 @ 2.3A,2.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):750mV @ 11μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.7nC @ 2.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):259pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細型,TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSOP6-6 標準包裝:1 BSL806NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET 2 N-CH 20V 2.3A TSOP6-6 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平柵極,1.8V 驅(qū)動 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.3A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):57 毫歐 @ 2.3A,2.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):750mV @ 11μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):1.7nC @ 2.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):259pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細型,TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSOP6-6 標準包裝:3,000 BSL802SNL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP6 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.8V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):7.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):22 毫歐 @ 7.5A,2.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):750mV @ 30μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):4.7nC @ 2.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1347pF @ 10V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細型,TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSOP6-6 標準包裝:1 BSL802SNH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 7.5A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.8V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):7.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):22 毫歐 @ 7.5A,2.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):0.75V @ 30μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):4.7nC @ 2.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1347pF @ 10V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細型,TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSOP6-6 標準包裝:3,000 BSM1-C BSM1-X BSM200GB60DLC BSM200GB60DLCHOSA1 BSM2-C BSM2-X BSM300D12P2E001 BSM30GD60DLCE3224 BSM35GD120DN2 BSM35GP120 BSM35GP120BOSA1 BSM50GB170DN2HOSA1 BSM50GB60DLCHOSA1 BSM50GD120DN2G BSM50GP120 BSM50GP120BOSA1 BSM6-L BSM6-X
配單專家
BSM(SKM)191F相關(guān)熱門型號

在采購BSM(SKM)191F進貨過程中,您使用搜索有什么問題和建議?點此反饋

友情提醒:為規(guī)避購買BSM(SKM)191F產(chǎn)品風(fēng)險,建議您在購買BSM(SKM)191F相關(guān)產(chǎn)品前務(wù)必確認供應(yīng)商資質(zhì)及產(chǎn)品質(zhì)量。

免責(zé)聲明:以上所展示的BSM(SKM)191F信息由會員自行提供,BSM(SKM)191F內(nèi)容的真實性、準確性和合法性由發(fā)布會員負責(zé)。買賣IC網(wǎng)不承擔(dān)任何責(zé)任。

買賣IC網(wǎng) (massivemove.com) 版權(quán)所有?2006-2019
深圳市碩贏互動信息技術(shù)有限公司 | 粵公網(wǎng)安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號