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BSM15GP3733

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BSM15GP3733 技術參數(shù)
  • BSM150GD60DLC 功能描述:IGBT BSM150GD60DLCBOSA1 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):停產 IGBT 類型:NPT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):180A 功率 - 最大值:570W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.45V @ 15V,150A 電流 - 集電極截止(最大值):500μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):6.5nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:模塊 標準包裝:10 BSM150GB60DLCHOSA1 功能描述:IGBT MODULE 600V 180A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):180A 功率 - 最大值:595W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.45V @ 15V,150A 電流 - 集電極截止(最大值):500μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):6.5nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:模塊 標準包裝:10 BSM120D12P2C005 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道(半橋) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):120A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 22mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):14000pF @ 10V 功率 - 最大值:780W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:* 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:模塊 標準包裝:12 BSM100GB60DLCHOSA1 功能描述:IGBT MODULE 600V 130A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):130A 功率 - 最大值:445W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.45V @ 15V,100A 電流 - 集電極截止(最大值):500μA 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:模塊 標準包裝:10 BSM100GB60DLC 功能描述:IGBT MODULE 600V 130A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):130A 功率 - 最大值:445W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.45V @ 15V,100A 電流 - 集電極截止(最大值):500μA 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:模塊 標準包裝:10 BSM30GD60DLCE3224 BSM35GD120DN2 BSM35GP120 BSM35GP120BOSA1 BSM50GB170DN2HOSA1 BSM50GB60DLCHOSA1 BSM50GD120DN2G BSM50GP120 BSM50GP120BOSA1 BSM6-L BSM6-X BSM75GB170DN2HOSA1 BSM75GB60DLCHOSA1 BSMN1-3K BSMN2-3K BSMV1BX-CY BSMV1BX-L BSMV1BX-LY
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