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BSO211PH
深圳市科翼源電子有限公司
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聯(lián)系人：朱小姐
電話：13510998172
地址：振華路100號(hào)深紡大廈C座2樓E16
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1507
INFINEON
SOP8
24+
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原廠原裝正品現(xiàn)貨

BSO211PHXUMA1
深圳市眾芯微電子有限公司
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聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會(huì)軒3607
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
9800
Infineon Technologies
PG-DSO-8
19+
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代理直銷！進(jìn)口原裝正品！

BSO211PHXUMA1
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
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聯(lián)系人：吳經(jīng)理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30
69880
TY/臺(tái)灣半導(dǎo)體
SOP8
2021+
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★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

BSO211PH
深圳市英科美電子有限公司
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聯(lián)系人：張先生
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地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟7F
16800
INFINEON/英飛凌
SOP-8
22+
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每一片都來自原廠，正品保證

BSO211PHXUMA1
深圳市華芯盛世科技有限公司
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聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
最新批號(hào)
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一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

BSO211PH
深圳市新良宇電子有限公司
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聯(lián)系人：李先生
電話：0755-8323763213302457603
地址：福田區(qū)振興路華勻大廈221室
56912
Infineon Technologies AG
TRANSISTOR 3.2 A, 20
23+
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原裝現(xiàn)貨歡迎來電查詢！

BSO211PH
深圳市華雄半導(dǎo)體（集團(tuán)）有限公司
深圳市華雄半導(dǎo)體（集團(tuán)）有限公司
聯(lián)系人：苗鳳軍
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資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3318
INFINEON
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十年專營，供應(yīng)原裝正品！熱賣現(xiàn)貨！

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制造商
INFINEON
制造商全稱
Infineon Technologies AG
功能描述
OptiMOS P-Power-Transistor

BSO211PH 技術(shù)參數(shù)

BSO207PNTMA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5.7A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5.7A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 5.7A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 40μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:23.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1013pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:P-DSO-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 BSO207PHXUMA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 5.7A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 44μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:16nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1650pF @ 15V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:PG-DSO-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSO204PNTMA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 7A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 7A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 60μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:35.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1513pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:P-DSO-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 BSO203SPNTMA1 功能描述:MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:21 毫歐 @ 9A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:50.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2265pF @ 15V 功率 - 最大值:2.35W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:P-DSO-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSO203SPHXUMA1 功能描述:MOSFET P-CH 20V 7A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:39nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:3750pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:21 毫歐 @ 8.9A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:P-DSO-8 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSO303P H BSO303PHXUMA1 BSO303PNTMA1 BSO303SPHXUMA1 BSO303SPNTMA1 BSO330N02KGFUMA1 BSO350N03 BSO4410 BSO4410T BSO4420 BSO4420T BSO4804 BSO4804HUMA2 BSO4804T BSO4822 BSO4822T BSO604NS2XUMA1 BSO612CV