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BSO220N03MDGXT

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BSO220N03MDGXT 技術(shù)參數(shù)
  • BSO220N03MD G 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):6A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):22 毫歐 @ 7.7A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):800pF @ 15V 功率 - 最大值:1.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:PG-DSO-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSO215C 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):3.7A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):100 毫歐 @ 3.7A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 10μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):11.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):246pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 BSO211PNTMA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):4.7A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):67 毫歐 @ 4.7A,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 25μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):23.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):920pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:P-DSO-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSO211PHXUMA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):4A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):67 毫歐 @ 4.6A,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 25μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):10nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1095pF @ 15V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:PG-DSO-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 BSO207PNTMA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5.7A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):5.7A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):45 毫歐 @ 5.7A,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 40μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):23.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1013pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:P-DSO-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 BSO303SPNTMA1 BSO330N02KGFUMA1 BSO350N03 BSO4410 BSO4410T BSO4420 BSO4420T BSO4804 BSO4804HUMA2 BSO4804T BSO4822 BSO4822T BSO604NS2XUMA1 BSO612CV BSO612CVGHUMA1 BSO613SPV BSO613SPV G BSO613SPVGHUMA1
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