BSP125,L6327

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BSP125,L6327 技術參數(shù)

BSP125 E6433 功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 歐姆 @ 120mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 94μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:150pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:4,000 BSP125 E6327 功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 歐姆 @ 120mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 94μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:150pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BSP123L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:370mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 370mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:70pF @ 25V 功率 - 最大值:1.79W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP123E6327T 功能描述:MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:370mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 370mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:70pF @ 25V 功率 - 最大值:1.79W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP122,115 功能描述:MOSFET N-CH 200V 0.55A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:550mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.4V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:100pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.5 歐姆 @ 750mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標準包裝:1 BSP129H6906XTSA1 BSP129L6327HTSA1 BSP129L6906HTSA1 BSP130,115 BSP135 E6327 BSP135 E6906 BSP135H6327XTSA1 BSP135H6433XTMA1 BSP135H6906XTSA1 BSP135L6327HTSA1 BSP135L6433HTMA1 BSP135L6906HTSA1 BSP14-3K BSP149 E6327 BSP149 E6906 BSP149H6327XTSA1 BSP149H6906XTSA1 BSP149L6327HTSA1