BSP297E6327NT

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BSP297E6327NT
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
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聯(lián)系人：史仙雁
電話：19129911934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-82813018
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
1800
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13+
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全新原裝正品歡迎來電0755-8286...

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中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

BSP297E6327NT 技術(shù)參數(shù)

BSP297 E6327 功能描述:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:660mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.8 歐姆 @ 660mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 400μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:16.1nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:357pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSP296NH6433XTMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.2A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:600 毫歐 @ 1.2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.7nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:152.7pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 BSP296NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.2A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:600 毫歐 @ 1.2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.7nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:152.7pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP296L6433HTMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.1A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:700 毫歐 @ 1.1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 400μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:17.2nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:364pF @ 25V 功率 - 最大值:1.79W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP296L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.1A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:700 毫歐 @ 1.1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 400μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:17.2nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:364pF @ 25V 功率 - 最大值:1.79W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP300H6327XUSA1 BSP300L6327HUSA1 BSP304A,126 BSP31,115 BSP3-120 BSP3-120-LC BSP315P-E6327 BSP315PE6327T BSP315PH6327XTSA1 BSP315PL6327HTSA1 BSP316PE6327 BSP316PE6327T BSP316PH6327XTSA1 BSP316PL6327HTSA1 BSP317PE6327 BSP317PE6327T BSP317PH6327XTSA1 BSP317PL6327HTSA1