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BSP298 L6327

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
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  • 封裝
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  • BSP298 L6327
    BSP298 L6327

    BSP298 L6327

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 638850

  • INFINEON

  • SOT-223

  • 最新批次

  • -
  • OEM渠道,價(jià)格超越代理!

  • BSP298 L6327
    BSP298 L6327

    BSP298 L6327

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人:張小姐

    電話:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場(chǎng)D座16層18B

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 10000

  • INFINEON

  • SOT-223

  • 22+

  • -
  • 終端免費(fèi)提供樣品 可開13%增值稅發(fā)票

  • BSP298 L6327
    BSP298 L6327

    BSP298 L6327

  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人:李先生

    電話:13760200702

    地址:深圳市龍崗區(qū)坂田街道五和大道山海商業(yè)廣場(chǎng)C棟706

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 1150

  • INFINEON

  • SOT-223

  • 假一賠十??!

  • -
  • 絕對(duì)原裝現(xiàn)貨!

  • BSP298 L6327
    BSP298 L6327

    BSP298 L6327

  • 深圳市硅宇電子有限公司
    深圳市硅宇電子有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:134242936540755-83690762

    地址:深圳市福田區(qū)福虹路世界貿(mào)易廣場(chǎng)A座1503

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 1650

  • INFINEO

  • SOT-223

  • 15+

  • -
  • 原裝現(xiàn)貨/特價(jià)

  • BSP298 L6327
    BSP298 L6327

    BSP298 L6327

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • SOT-223

  • 最新批號(hào)

  • -
  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨!

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共17條 
  • 1
BSP298 L6327 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET SIPMOS SM-Signal Transistor 400V .5A
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
BSP298 L6327 技術(shù)參數(shù)
  • BSP298 E6327 功能描述:MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):400V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):500mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):400pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSP297L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):660mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.8 歐姆 @ 660mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 400μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):16.1nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):357pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP297H6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):660mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.8 歐姆 @ 660mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 400μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):16.1nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):357pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP297 E6327 功能描述:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):660mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.8 歐姆 @ 660mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 400μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):16.1nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):357pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSP296NH6433XTMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):1.2A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):600 毫歐 @ 1.2A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):6.7nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):152.7pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 BSP31,115 BSP3-120 BSP3-120-LC BSP315P-E6327 BSP315PE6327T BSP315PH6327XTSA1 BSP315PL6327HTSA1 BSP316PE6327 BSP316PE6327T BSP316PH6327XTSA1 BSP316PL6327HTSA1 BSP317PE6327 BSP317PE6327T BSP317PH6327XTSA1 BSP317PL6327HTSA1 BSP318S E6327 BSP318SH6327XTSA1 BSP318SL6327HTSA1
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