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BSP298L6327

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  • BSP298L6327
    BSP298L6327

    BSP298L6327

  • 深圳市海天鴻電子科技有限公司
    深圳市海天鴻電子科技有限公司

    聯(lián)系人：彭小姐、劉先生、李小姐

    電話：0755-82552857-80913528851884（周日專線）

    地址：深圳市福田區(qū)中航路中航北苑大廈A座22A3號

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 7500

  • Infineon

  • 原廠原裝

  • 1725+

  • -

  • 只做原裝 一手貨源，代理商分銷庫存

  • BSP298L6327
    BSP298L6327

    BSP298L6327

  • 北京京華特科技有限公司
    北京京華特科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/韓先生

    電話：010-86398446-8061581080972213911315253

    地址：北京市朝陽區(qū)建國門外大街9號樓603室

  • 2520

  • Infineon technologies

  • N/A ㊣品

  • N/A 全新進口

  • -

  • 國內授權代理分銷

  • BSP298L6327
    BSP298L6327

    BSP298L6327

  • 深圳市源運電子商行
    深圳市源運電子商行

    聯(lián)系人：林先生

    電話：15913992480

    地址：深圳市龍崗區(qū)板田街道荔園新村55棟1樓

  • 500

  • Infineon

  • 16+

  • -

  • BSP298L6327HUSA1
    BSP298L6327HUSA1

    BSP298L6327HUSA1

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

  • BSP298L6327
    BSP298L6327

    BSP298L6327

  • 深圳市貿盛微電子有限公司
    深圳市貿盛微電子有限公司

    聯(lián)系人：周先生

    電話：0755-8220875218127068687

    地址：深圳市羅湖區(qū)嘉賓路友誼大廈五棟3樓G

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 500

  • Infineon

  • 10+

  • -

  • 專業(yè)經銷，原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共18條 
  • 1
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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223
BSP298L6327 技術參數(shù)
  • BSP298H6327XUSA1 功能描述:MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:500mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:400pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:* 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP298 E6327 功能描述:MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:500mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:400pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BSP297L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:660mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.8 歐姆 @ 660mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 400μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:16.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:357pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP297H6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:660mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.8 歐姆 @ 660mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 400μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:16.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:357pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP297 E6327 功能描述:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:660mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.8 歐姆 @ 660mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 400μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:16.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:357pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BSP3-120 BSP3-120-LC BSP315P-E6327 BSP315PE6327T BSP315PH6327XTSA1 BSP315PL6327HTSA1 BSP316PE6327 BSP316PE6327T BSP316PH6327XTSA1 BSP316PL6327HTSA1 BSP317PE6327 BSP317PE6327T BSP317PH6327XTSA1 BSP317PL6327HTSA1 BSP318S E6327 BSP318SH6327XTSA1 BSP318SL6327HTSA1 BSP32,115
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