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BSP318SL6327HTSA1

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  • BSP318SL6327HTSA1
    BSP318SL6327HTSA1

    BSP318SL6327HTSA1

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：吳經(jīng)理

    電話：18138401919

    地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

  • 0

  • Infineon

  • SMD

  • 23+

  • -

  • 原廠正品現(xiàn)貨供應(yīng)絕對優(yōu)勢

  • BSP318SL6327HTSA1
    BSP318SL6327HTSA1

    BSP318SL6327HTSA1

  • 深圳市眾芯微電子有限公司
    深圳市眾芯微電子有限公司

    聯(lián)系人：陳小姐

    電話：0755-8320801015711992892

    地址：都會(huì)軒3607

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • PG-SOT223-4

  • 19+

  • -

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223
BSP318SL6327HTSA1 技術(shù)參數(shù)
  • BSP318SH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2.6A 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.6A（Tj） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 2.6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:380pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP318S E6327 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.6A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 2.6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:380pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSP317PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:430mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 430mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 370μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:15.1nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:262pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP317PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:430mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 430mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 370μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:15.1nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:262pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP317PE6327T 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:430mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 430mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 370μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:15.1nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:262pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP321PH6327XTSA1 BSP321PL6327HTSA1 BSP322PH6327XTSA1 BSP322PL6327HTSA1 BSP324 E6327 BSP324H6327XTSA1 BSP324L6327HTSA1 BSP3-277 BSP3-277-20KA BSP3-277-20KA-TN BSP3-277-LC BSP33,115 BSP3-347 BSP3-347-LC BSP3-480 BSP3-480-20K BSP3-480-20KA BSP3-480-20KA-TN
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