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BSP373E6327

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
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  • 數(shù)量
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  • 封裝
  • 批號(hào)
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  • 說明
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  • BSP373E6327
    BSP373E6327

    BSP373E6327

  • 深圳市悅興晨電子科技有限公司
    深圳市悅興晨電子科技有限公司

    聯(lián)系人:朱先生

    電話:0755-8281200482811605

    地址:深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)405棟607室 柜臺(tái)號(hào)新亞洲二期N2B227

  • 15600

  • inf

  • 原廠原封裝

  • 2023+

  • -
  • 全新原裝 部分發(fā)貨3-5天

  • BSP373E6327
    BSP373E6327

    BSP373E6327

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

  • 最新批號(hào)

  • -
  • 代理此型號(hào),原裝正品現(xiàn)貨?。?/p>

  • BSP373E6327
    BSP373E6327

    BSP373E6327

  • 深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-8860880117727932378

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F

  • 36200

  • 原廠原裝

  • 18+

  • -
  • 原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢(shì)供應(yīng)

  • BSP373E6327
    BSP373E6327

    BSP373E6327

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • INF

  • 2008+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共9條 
  • 1
BSP373E6327 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
BSP373E6327 技術(shù)參數(shù)
  • BSP373 E6327 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):1.7A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):300 毫歐 @ 1.7A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):550pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSP372NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):1.8A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):230 毫歐 @ 1.8A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 218μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):14.3nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):329pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP372L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):1.7A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):310 毫歐 @ 1.7A,5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):520pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP372 E6327 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):1.7A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):310 毫歐 @ 1.7A,5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):520pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSP3-480-LC 功能描述:SURGE PROTECTOR 480V DRIVER 制造商:thomas research products 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 工作:480V 電壓 - 箝位:2500V(2.5kV) 技術(shù):混合技術(shù) 功率(W):- 電路數(shù):1 應(yīng)用:LED 保護(hù) 封裝/外殼:模塊,導(dǎo)線引線 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BSP50H6327XTSA1 BSP51 BSP51,115 BSP51H6327XTSA1 BSP52 BSP52,115 BSP52H6327XTSA1 BSP52T1 BSP52T1G BSP52T3 BSP52T3G BSP60,115 BSP603S2LHUMA1 BSP60E6327HTSA1 BSP60H6327XTSA1 BSP61,115 BSP612PH6327XTSA1 BSP613P
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