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BSP373L6327HTSA1

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  • 中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
    中山市翔美達(dá)電子科技有限公司

    聯(lián)系人:朱小姐

    電話:155020706551802218672813590991023

    地址:火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室

  • 6000

  • 英飛凌

  • NA

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  • BSP373L6327HTSA1
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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

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  • 深圳市眾芯微電子有限公司
    深圳市眾芯微電子有限公司

    聯(lián)系人:陳小姐

    電話:0755-8320801015711992892

    地址:都會軒3607

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • PG-SOT223-4

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • N-KANAL SMALL SIGNAL MOS - Tape and Reel
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
BSP373L6327HTSA1 技術(shù)參數(shù)
  • BSP373 E6327 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):1.7A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):300 毫歐 @ 1.7A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):550pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSP372NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4.5V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):1.8A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):230 毫歐 @ 1.8A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 218μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):14.3nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):329pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP372L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):1.7A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):310 毫歐 @ 1.7A,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):520pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP372 E6327 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):1.7A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):310 毫歐 @ 1.7A,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):520pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSP3-480-LC 功能描述:SURGE PROTECTOR 480V DRIVER 制造商:thomas research products 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 工作:480V 電壓 - 箝位:2500V(2.5kV) 技術(shù):混合技術(shù) 功率(W):- 電路數(shù):1 應(yīng)用:LED 保護(hù) 封裝/外殼:模塊,導(dǎo)線引線 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BSP51 BSP51,115 BSP51H6327XTSA1 BSP52 BSP52,115 BSP52H6327XTSA1 BSP52T1 BSP52T1G BSP52T3 BSP52T3G BSP60,115 BSP603S2LHUMA1 BSP60E6327HTSA1 BSP60H6327XTSA1 BSP61,115 BSP612PH6327XTSA1 BSP613P BSP613PH6327XTSA1
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