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BSS138_G

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  • BSS138_G
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    現(xiàn)貨
  • 集好芯城
    集好芯城

    聯(lián)系人:陳先生13360533550

    電話:0755-838679890755-82795565

    地址:深圳公司:深圳市福田區(qū)華富路航都大廈11F

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 36000

  • FAIRCHILD/仙童

  • NA

  • 22+

  • -
  • 原廠原裝現(xiàn)貨

  • BSS138_G
    BSS138_G

    BSS138_G

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人:張先生/雷小姐

    電話:0755-8279802015814679726(承諾只售原裝正品,終端BOM配單一站式服務)

    地址:華強街道賽格廣場55樓5566室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 30000

  • ON/安森美

  • NA

  • 21+

  • -
  • 原廠授權,價格超越代理!

  • BSS138_G
    BSS138_G

    BSS138_G

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • FSC

  • SOT-23

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨!

  • 1/1頁 40條/頁 共8條 
  • 1
BSS138_G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
BSS138_G 技術參數
  • BSS138_F085 功能描述:MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):50V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):220mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):2.4nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):27pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):360mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.5 歐姆 @ 220mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:SOT-23 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:3,000 BSS138_D87Z 功能描述:MOSFET N-CH 50V 0.22A SOT23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):220mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.5 歐姆 @ 220mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):2.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):27pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:1 BSS138 功能描述:MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):220mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.5 歐姆 @ 220mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):2.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):27pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:1 BSS131L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 240V .11A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):240V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):110mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14 歐姆 @ 100mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 56μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):3.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):77pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:3,000 BSS131H6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 240V 0.11A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):240V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):110mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 56μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):3.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):77pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):360mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14 歐姆 @ 100mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:1 BSS138BKW-BX BSS138-D87Z BSS138DW-7 BSS138DW-7-F BSS138DWQ-13 BSS138DWQ-7 BSS138-F085 BSS138K BSS138L BSS138LT1 BSS138LT1G BSS138LT3 BSS138LT3G BSS138N E6433 BSS138N E6908 BSS138N E7854 BSS138N E8004 BSS138N-E6327
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