BSS229B

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BSS229B 技術(shù)參數(shù)

BSS225L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:90mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:45 歐姆 @ 90mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 94μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:5.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:131pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT89 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSS225H6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:90mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:45 歐姆 @ 90mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 94μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:5.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:131pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT89 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSS225H6327FTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:90mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:45 歐姆 @ 90mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 94μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:5.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:131pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT89 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS225 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:90mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:45 歐姆 @ 90mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 94μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:5.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:131pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT89 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSS223PWH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 20V 390MA SOT-323 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:390mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.2 歐姆 @ 390mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.5μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.62nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:56pF @ 15V 功率 - 最大值:250mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT323-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS315P H6327 BSS315PH6327XTSA1 BSS315PL6327HTSA1 BSS316N H6327 BSS316NH6327XTSA1 BSS316NL6327HTSA1 BSS340NWH6327XTSA1 BSS44 BSS606NH6327XTSA1 BSS63 BSS63,215 BSS63LT1G BSS64 BSS64,215 BSS64LT1 BSS64LT1G BSS670S2L BSS670S2L H6327