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BST1003SM-03A

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

BST1003SM-03A
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
聯(lián)系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907
1000
INTERNATIONAL COMPONENTS
主營(yíng)優(yōu)勢(shì)
19+
-
100%原裝正品★終端免費(fèi)供樣★

1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共40條
1

您是不是要找： BST-108-08-G-D-230-RA BST110V BST-12/125-D12-C BST-12/125-D48-C BST-136-08-G-D-230-RA BST-136-08-L-D-230-RA BST-136-08-S-D-230-RA BST-136-08-T-D-230-RA BST15,115

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制造商
International Components Corporation
功能描述
TRANSDUCER, SURFACE MOUNT, CONTINUOUS TONE
制造商
INTERVOX/ICC
功能描述
Electro Acoustic Transducer

BST1003SM-03A 技術(shù)參數(shù)

BS-SA7024 功能描述:SCREW COVERS DARK GRAY 制造商:rose bopla 系列:BOS Streamline 零件狀態(tài):有效配件類型:螺釘蓋配套使用產(chǎn)品/相關(guān)產(chǎn)品:BOS Streamline 系列標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS87L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:240V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:260mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 260mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 108μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:5.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:97pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT89 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS87H6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:240V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:260mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 260mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 108μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:5.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:97pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSS87H6327FTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:240V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:260mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 260mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 108μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:5.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:97pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT89 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS87E6327T 功能描述:MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:240V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:260mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 260mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 108μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:5.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:97pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:P-SOT89-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BST-15/100-D48-C BST-15/85-D5-C BST15TA BST16,115 BST-169 BST16TA BST-225 BST-256P BST-272P+16 BST-303 BST-324 BST-352P BST-357 BST39,115 BST39TA BST40TA BST-492 BST-5/250-D48-C