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BSZ058N03MSGATMA1

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    BSZ058N03MSGATMA1

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    現(xiàn)貨
  • 集好芯城
    集好芯城

    聯(lián)系人：張育豪 13360528695

    電話：0755-23607487

    地址：深圳市福田區(qū)華富路1006號(hào) 航都大廈11樓一層

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

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  • INFINEON/英飛凌

  • TSDSON8

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  • 原廠原裝現(xiàn)貨

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    BSZ058N03MSGATMA1

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  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 250000

  • INFINEON

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  • BSZ058N03MSGATMA1
    BSZ058N03MSGATMA1

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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

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  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

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  • BSZ058N03MSGATMA1
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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

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  • BSZ058N03MSGATMA1
    BSZ058N03MSGATMA1

    BSZ058N03MSGATMA1

  • 中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
    中山市翔美達(dá)電子科技有限公司

    聯(lián)系人：朱小姐

    電話：155020706551802218672813590991023

    地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號(hào)金盛廣場(chǎng)1棟613室

  • 6000

  • 英飛凌

  • NA

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  • 公司全新原裝正品,QQ153058080...

  • BSZ058N03MSGATMA1
    BSZ058N03MSGATMA1

    BSZ058N03MSGATMA1

  • 科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
    科創(chuàng)特電子（香港）有限公司

    聯(lián)系人：柯

    電話：0755-83014603

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907

  • 5000

  • INFINEON

  • 主營(yíng)優(yōu)勢(shì)

  • 19+

  • -

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin TSDSON EP
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
BSZ058N03MSGATMA1 技術(shù)參數(shù)
  • BSZ058N03LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A（Ta），40A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:30nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2400pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），45W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.8 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ058N03LS G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A（Ta），40A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.8 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2400pF @ 15V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8（3.3x3.3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ0589NSATMA1 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 17A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:17A（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:15nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:950pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.4 毫歐 @ 8A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BSZ050N03MSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A（Ta），40A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:46nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3600pF @ 15V 功率 - 最大值:48W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8（3.3x3.3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ050N03LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:16A（Ta），40A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:35nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2800pF @ 15V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8（3.3x3.3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ075N08NS5ATMA1 BSZ076N06NS3GATMA1 BSZ084N08NS5ATMA1 BSZ086P03NS3 G BSZ086P03NS3E G BSZ086P03NS3EGATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ088N03LSGATMA1 BSZ088N03MSGATMA1 BSZ0901NS BSZ0901NSATMA1 BSZ0901NSI BSZ0901NSIATMA1 BSZ0902NS BSZ0902NSATMA1 BSZ0902NSI BSZ0902NSIATMA1 BSZ0904NSI
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