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BSZ180P03NS3E G

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BSZ180P03NS3E G
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質：營業(yè)執(zhí)照
6000
有30000個Infineon
DFN33
15+
-
原裝正品，假一罰十

BSZ180P03NS3E G
深圳市歐和寧電子有限公司
深圳市歐和寧電子有限公司
聯(lián)系人：李先生
電話：0755-292759351581559886118576729816
地址：廣東省深圳市福田區(qū) 華強北賽格科技園6C18室
69800
INFINEON
近兩年生產
DFN-8
-
每一片都來自原廠

BSZ180P03NS3E G
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業(yè)執(zhí)照
25000
INFINEON
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

BSZ180P03NS3E G
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：何芝
電話：19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業(yè)執(zhí)照
3500
Infineon
S3O8
13+
-
Infineon一級代理，價優(yōu)

BSZ180P03NS3E G
深圳市大源實業(yè)科技有限公司
深圳市大源實業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：李女士
電話：1530261991513762584085
地址：深圳市龍崗區(qū)五和大道山海商業(yè)廣場C座707室
2500
INFINEO
PG-TSDS
22+
-
公司原裝現(xiàn)貨，可訂貨，有單來談QQ：16...

BSZ180P03NS3E G
北京天陽誠業(yè)科貿有限公司
北京天陽誠業(yè)科貿有限公司
聯(lián)系人：洪先生
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業(yè)執(zhí)照
3327
INFINEON
NA
23+
-
功率MOSFET

BSZ180P03NS3E G
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
8650000
英飛凌
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現(xiàn)貨！！

BSZ180P03NS3E G
深圳市暢洲科技有限公司
深圳市暢洲科技有限公司
聯(lián)系人：吳小姐
電話：852906044930755-82762262
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)深南中路3018號都會軒2506
資質：營業(yè)執(zhí)照
10000
INFINEON/英飛凌
TDSON-8
22+
-
全新原裝正品

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BSZ180P03NS3E G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BSZ180P03NS3E G PDF下載

功能描述
MOSFET P-Channel -30V MOSFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

BSZ180P03NS3E G 技術參數(shù)

BSZ16DN25NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10.9A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 32μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:11.4nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:920pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:165 毫歐 @ 5.5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-TSDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSZ16DN25NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10.9A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:165 毫歐 @ 5.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 32μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:920pF @ 100V 功率 - 最大值:62.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8（3.3x3.3）標準包裝:1 BSZ165N04NSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 31A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8.9A（Ta），31A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 10μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:10nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:840pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），25W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:16.5 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-TSDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSZ165N04NS G 功能描述:MOSFET N-CH 40V 31A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8.9A（Ta），31A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:16.5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 10μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:840pF @ 20V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8（3.3x3.3）標準包裝:1 BSZ160N10NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:16 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 12μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:25nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1700pF @ 50V 功率 - 最大值:63W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8（3.3x3.3）標準包裝:1 BSZ340N08NS3GATMA1 BSZ42DN25NS3 G BSZ42DN25NS3GATMA1 BSZ440N10NS3 G BSZ440N10NS3GATMA1 BSZ520N15NS3 G BSZ520N15NS3GATMA1 BSZ900N15NS3 G BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N20NS3 G BSZ900N20NS3GATMA1 BT/RT-18X26.5-A BT00M12S-3P BT-01-50M BT-02-50M BT05-2A66 BT-1 BT1.5I-C

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深圳市芯易芯科技有限公..
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