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BT01R45-10SP

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  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
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    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

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  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
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    聯(lián)系人:吳經(jīng)理

    電話:18138401919

    地址:深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

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  • BT01R45-10SP
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  • 深圳市一線半導體有限公司
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    聯(lián)系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-88608801多線17727932378

    地址:深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F

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BT01R45-10SP 技術(shù)參數(shù)
  • BT-01-50M 功能描述:BONDATHERM EQUALIZER DISPENSE GU 制造商:wakefield-vette 系列:BondaTherm? 零件狀態(tài):在售 類型:敷料器,環(huán)氧樹脂 標準包裝:1 BT00M12S-3P 功能描述:BT 5015 2C 2#16 PIN 制造商:amphenol aerospace operations 系列:* 零件狀態(tài):有效 標準包裝:1 BT/RT-18X26.5-A 功能描述:SPECIAL TRIM FOR 82387-0027 制造商:omron automation and safety 系列:* 零件狀態(tài):在售 標準包裝:1 BSZ900N20NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):15.2A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 30μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):11.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):920pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):62.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):90 毫歐 @ 7.6A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSZ900N20NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):15.2A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):90 毫歐 @ 7.6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 30μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):11.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):920pF @ 100V 功率 - 最大值:62.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8(3.3x3.3) 標準包裝:1 BT1.5I-M2 BT1.5I-M3 BT1.5I-M30 BT1.5I-M300 BT1.5I-M39 BT1.5I-M4 BT1.5I-M4Y BT1.5I-M5 BT1.5I-M6 BT1.5I-M7 BT1.5I-M8 BT1.5M-C BT1.5M-C0 BT1.5M-M BT1.5M-M0 BT1.5M-M30 BT1.5M-M69 BT1.5M-XMR
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