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BTS113-AE32195101FNAA

配單專家企業(yè)名單
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  • BTS113-AE32195101FNAA
    BTS113-AE32195101FNAA

    BTS113-AE32195101FNAA

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • infineon

  • 原廠封裝

  • 15+

  • -
  • 原裝正品,假一罰十

  • BTS113-AE32195101FNAA
    BTS113-AE32195101FNAA

    BTS113-AE32195101FNAA

  • 深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-88608801多線17727932378

    地址:深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F

  • 9600

  • INFINEON

  • 17+

  • -
  • 原裝正品。優(yōu)勢供應(yīng)

  • 1/1頁 40條/頁 共2條 
  • 1
BTS113-AE32195101FNAA PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
BTS113-AE32195101FNAA 技術(shù)參數(shù)
  • BTS113AE3064NKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):11.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):170 毫歐 @ 5.8A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):560pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:P-TO220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 BTS113AE3045ANTMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):11.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):170 毫歐 @ 5.8A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):560pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BTS110NKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 10A TO-220 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):200 毫歐 @ 5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):600pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 BTS110E3045ANTMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 10A TO-220 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):200 毫歐 @ 5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):600pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BTS110A 功能描述:Hex Standoff Threaded #6-32 Brass 0.375" (9.53mm) 3/8" 制造商:essentra components 系列:BTS 零件狀態(tài):有效 類型:六角支座 有絲/無絲:有螺紋 公母:公頭,母頭 螺釘,螺紋規(guī)格:#6-32 直徑 - 內(nèi)部:- 直徑 - 外部:0.250"(6.35mm) 1/4" 六角形 板間高度:0.375"(9.53mm) 3/8" 長度 - 總:0.625"(15.88mm)5/8" 特性:- 材料:黃銅 鍍層:鎳 顏色:- 重量:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 BTS118D BTS118DATMA1 BTS120A BTS121AE3045ANTMA1 BTS121ANKSA1 BTS-125-01-F-D BTS-125-01-F-D-A BTS-125-01-F-D-A-K BTS-125-01-F-D-K BTS-125-01-H-D-A BTS-125-01-H-D-A-K BTS-125-01-L-D BTS-125-01-L-D-A BTS-125-01-L-D-A-K BTS-125-01-L-D-A-TR BTS-125-01-L-D-EM2 BTS-125-01-L-D-K BTS125A
配單專家

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