您好,歡迎來到買賣IC網(wǎng) 登錄 | 免費注冊
您現(xiàn)在的位置:買賣IC網(wǎng) > B字母型號搜索 >

BTS115ASMD

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • BTS115ASMD
    BTS115ASMD

    BTS115ASMD

  • 深圳市琦凌凱科技有限公司
    深圳市琦凌凱科技有限公司

    聯(lián)系人:彭先生

    電話:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中10層10A19

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • INFINEON

  • TO-220

  • 22+

  • -
  • 十年配單,只做原裝

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
BTS115ASMD PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
BTS115ASMD 技術(shù)參數(shù)
  • BTS115ANKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 50V 15.5A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):15.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):120 毫歐 @ 7.8A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):735pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:P-TO220AB 標準包裝:500 BTS115A 功能描述:Hex Standoff Threaded #6-32 Brass 0.500" (12.70mm) 1/2" 制造商:essentra components 系列:BTS 零件狀態(tài):有效 類型:六角支座 有絲/無絲:有螺紋 公母:公頭,母頭 螺釘,螺紋規(guī)格:#6-32 直徑 - 內(nèi)部:- 直徑 - 外部:0.250"(6.35mm) 1/4" 六角形 板間高度:0.500"(12.70mm)1/2" 長度 - 總:0.750"(19.05mm)3/4" 特性:- 材料:黃銅 鍍層:鎳 顏色:- 重量:- 標準包裝:500 BTS113ANKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):11.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):170 毫歐 @ 5.8A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):560pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:P-TO220AB 標準包裝:500 BTS113AE3064NKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):11.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):170 毫歐 @ 5.8A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):560pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:P-TO220AB 標準包裝:500 BTS113AE3045ANTMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):11.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):170 毫歐 @ 5.8A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):560pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:1,000 BTS121AE3045ANTMA1 BTS121ANKSA1 BTS-125-01-F-D BTS-125-01-F-D-A BTS-125-01-F-D-A-K BTS-125-01-F-D-K BTS-125-01-H-D-A BTS-125-01-H-D-A-K BTS-125-01-L-D BTS-125-01-L-D-A BTS-125-01-L-D-A-K BTS-125-01-L-D-A-TR BTS-125-01-L-D-EM2 BTS-125-01-L-D-K BTS125A BTS130A BTS133 BTS133 E3045A
配單專家

在采購BTS115ASMD進貨過程中,您使用搜索有什么問題和建議?點此反饋

友情提醒:為規(guī)避購買BTS115ASMD產(chǎn)品風險,建議您在購買BTS115ASMD相關(guān)產(chǎn)品前務(wù)必確認供應(yīng)商資質(zhì)及產(chǎn)品質(zhì)量。

免責聲明:以上所展示的BTS115ASMD信息由會員自行提供,BTS115ASMD內(nèi)容的真實性、準確性和合法性由發(fā)布會員負責。買賣IC網(wǎng)不承擔任何責任。

買賣IC網(wǎng) (massivemove.com) 版權(quán)所有?2006-2019
深圳市碩贏互動信息技術(shù)有限公司 | 粵公網(wǎng)安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號