BTS3014SDL

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

BTS3014SDL
深圳市琦凌凱科技有限公司
深圳市琦凌凱科技有限公司
聯(lián)系人：彭先生
電話：1331648214918276240346
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道荔村社區(qū)振興路120號(hào)賽格科技園4棟中10層10A19
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
6000
Infineon/英飛凌
TO-252
22+
-
十年配單，只做原裝

BTS3014SDL
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
INFINEON
SOT252
最新批號(hào)
-
一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

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BTS3014SDL 技術(shù)參數(shù)

BTS282ZE3230AKSA2 功能描述:MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:溫度保護(hù) 漏源極電壓（Vdss）:49V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 36A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 240μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:232nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-7 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-7 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 BTS282ZE3180AATMA2 功能描述:MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:49V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 36A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 240μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:232nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4800pF @ 25V FET 功能:溫度保護(hù) 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO263-7-1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BTS282ZAKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:管件零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:溫度保護(hù) 漏源極電壓（Vdss）:49V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 36A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 240μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:232nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-7（成形引線）供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-7 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 BTS282Z E3230 功能描述:MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:管件零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:溫度保護(hù) 漏源極電壓（Vdss）:49V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 36A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 240μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:232nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-7 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-7-230 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 BTS282Z E3180A 功能描述:MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:溫度保護(hù) 漏源極電壓（Vdss）:49V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 36A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 240μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:232nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-7-180 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BTS3060TFATMA1 BTS307 E3062A BTS307E3043 BTS307E3062ABUMA1 BTS308 E3059 BTS308 E3062A BTS3080EJXUMA1 BTS3080TFATMA1 BTS3104SDLATMA1 BTS3104SDRATMA1 BTS3110NHUMA1 BTS3110NNT BTS3118DATMA1 BTS3118NHUMA1 BTS3125EJXUMA1 BTS3125TFATMA1 BTS3134D BTS3134DATMA1