BUK657-600C

配單專家企業(yè)名單

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數(shù)量
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封裝
批號
價格
說明
操作

BUK657-600C
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：15961889159
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導體
TO-220
24+
-
國產(chǎn)品牌，替代進口

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制造商
未知廠家
制造商全稱
未知廠家
功能描述
N-Channel Enhancement MOSFET

BUK657-600C 技術(shù)參數(shù)

BUK655R0-75C,127 功能描述:MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.3 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:177nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:11400pF @ 25V 功率 - 最大值:263W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 BUK654R8-40C,127 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.8 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:88nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5200pF @ 25V 功率 - 最大值:158W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 BUK654R6-55C,127 功能描述:MOSFET N-CH 55V 100A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.4 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:124nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7750pF @ 25V 功率 - 最大值:204W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 BUK654R0-75C,127 功能描述:MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.2 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:234nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:15450pF @ 25V 功率 - 最大值:306W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 BUK653R7-30C,127 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.9 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:78nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4707pF @ 25V 功率 - 最大值:158W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 BUK663R2-40C,118 BUK663R5-30C,118 BUK663R5-55C,118 BUK663R7-75C,118 BUK664R4-55C,118 BUK664R6-40C,118 BUK664R8-75C,118 BUK6C2R1-55C,118 BUK6C3R3-75C,118 BUK6D43-40PX BUK6D43-60EX BUK6E2R0-30C,127 BUK6E2R3-40C,127 BUK6E3R2-55C,127 BUK6E3R4-40C,127 BUK6E4R0-75C,127 BUK7105-40AIE,118 BUK7105-40ATE,118