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BUK7226-75A/C1118

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BUK7226-75A/C1118 技術參數(shù)
  • BUK7226-75A/C1,118 功能描述:MOSFET N-CH 75V 45A DPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):75V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):45A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):26 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):48nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2385pF @ 25V 功率 - 最大值:158W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:2,500 BUK7226-75A,118 功能描述:MOSFET N-CH 75V 45A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):75V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):45A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):48nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2385pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):158W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):26 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:DPAK 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 標準包裝:1 BUK7225-55A,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 43A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):43A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1310pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):94W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):25 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:DPAK 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 標準包裝:1 BUK7222-55A,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 48A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):48A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1597pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):103W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):22 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:DPAK 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 標準包裝:1 BUK7219-55A,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 55A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):55A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2108pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):114W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):19 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:DPAK 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 標準包裝:1 BUK7505-30A,127 BUK7506-55A,127 BUK7506-55B,127 BUK7506-75B,127 BUK7507-30B,127 BUK7507-55B,127 BUK7508-40B,127 BUK7508-55A,127 BUK7509-55A,127 BUK7509-75A,127 BUK7510-100B,127 BUK7510-55AL,127 BUK7511-55A,127 BUK7511-55B,127 BUK7513-75B,127 BUK7514-55A,127 BUK7514-60E,127 BUK75150-55A,127
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