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BUK763R8-80E,118

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • BUK763R8-80E,118
    BUK763R8-80E,118

    BUK763R8-80E,118

  • 深圳市海天鴻電子科技有限公司
    深圳市海天鴻電子科技有限公司

    聯(lián)系人:彭小姐、劉先生、李小姐

    電話:0755-82552857-80913528851884(周日專線)

    地址:深圳市福田區(qū)中航路中航北苑大廈A座22A3號(hào)

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 7500

  • NXP

  • 原廠原裝

  • 1708+

  • -
  • 只做原裝 一手貨源,代理商分銷庫(kù)存

  • BUK763R8-80E,118
    BUK763R8-80E,118

    BUK763R8-80E,118

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • NXP Semiconductors

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 15+

  • -
  • 百分百原裝假一罰十

  • BUK763R8-80E,118
    BUK763R8-80E,118

    BUK763R8-80E,118

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • BUK763R8-80E,118
    BUK763R8-80E,118

    BUK763R8-80E,118

  • 深圳市企諾德電子有限公司
    深圳市企諾德電子有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:13480313979

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1002號(hào)賽格廣場(chǎng)54樓5403B-5404AB

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • NXP

  • N/A

  • 22+

  • -
  • 原裝正品 專業(yè)BOM配單

  • BUK763R8-80E,118
    BUK763R8-80E,118

    BUK763R8-80E,118

  • 深圳市鵬威爾科技有限公司
    深圳市鵬威爾科技有限公司

    聯(lián)系人:胡慶偉

    電話:13138879988

    地址:深圳市寶安區(qū)新安街道翻身路117號(hào) 富源商貿(mào)中心D棟601

  • 2400

  • NEX

  • ORIGONAL

  • 16+

  • -
  • 1.12808 USD,szpoweri...

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共13條 
  • 1
BUK763R8-80E,118 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-Chan 80V 120A
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
BUK763R8-80E,118 技術(shù)參數(shù)
  • BUK763R6-40C,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí),AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):97nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):5708pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):203W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.6 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK763R4-30B,118 功能描述:MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí),AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):75A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):75nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):4951pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):255W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.4 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK763R1-60E,118 功能描述:MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí),AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):120A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):114nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):8920pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):293W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.1 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK763R1-40B,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí),AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):75A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):94nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):6808pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):300W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.1 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK7635-55A,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí),AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):35A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):872pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):85W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):35 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK765R2-40B,118 BUK765R3-40E,118 BUK7660-100A,118 BUK766R0-60E,118 BUK7675-100A,118 BUK7675-55A,118 BUK768R1-100E,118 BUK768R1-40E,118 BUK768R3-60E,118 BUK769R6-80E,118 BUK78150-55A,115 BUK78150-55A,135 BUK78150-55A/CUF BUK78150-55A/CUX BUK7880-55,135 BUK7880-55/CUF BUK7880-55A,115 BUK7880-55A/CUX
配單專家

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