您好,歡迎來到買賣IC網(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)
您現(xiàn)在的位置:買賣IC網(wǎng) > B字母型號(hào)搜索 >

BUK7675-55ATR

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作

沒找到與 " BUK7675-55ATR " 相關(guān)的供應(yīng)商

您可以:

1. 縮短或修改您的搜索詞,重新搜索

2. 發(fā)布緊急采購,3分鐘左右您將得到回復(fù) 發(fā)布緊急采購

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
BUK7675-55ATR PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
BUK7675-55ATR 技術(shù)參數(shù)
  • BUK7675-55A,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 20.3A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí),AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):20.3A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):483pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):62W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):75 毫歐 @ 10A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK7675-100A,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí),AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):23A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):1210pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):99W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):75 毫歐 @ 13A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK766R0-60E,118 功能描述:MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí),AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):75A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):62nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):4520pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):182W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):6 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK7660-100A,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V 26A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí),AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):26A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):1377pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):106W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):60 毫歐 @ 15A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK765R3-40E,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí),AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):75A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):35.5nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):2772pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):137W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4.9 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK7880-55/CUF BUK7880-55A,115 BUK7880-55A/CUX BUK7905-40AI,127 BUK7905-40AIE,127 BUK7905-40ATE,127 BUK7907-40ATC,127 BUK7907-55AIE,127 BUK7907-55ATE,127 BUK7908-40AIE,127 BUK7909-75AIE,127 BUK7909-75ATE,127 BUK794R1-40BT,127 BUK7C06-40AITE,118 BUK7C08-55AITE,118 BUK7C10-75AITE,118 BUK7C1R2-40EJ BUK7C1R4-40EJ
配單專家

在采購BUK7675-55ATR進(jìn)貨過程中,您使用搜索有什么問題和建議?點(diǎn)此反饋

友情提醒:為規(guī)避購買BUK7675-55ATR產(chǎn)品風(fēng)險(xiǎn),建議您在購買BUK7675-55ATR相關(guān)產(chǎn)品前務(wù)必確認(rèn)供應(yīng)商資質(zhì)及產(chǎn)品質(zhì)量。

免責(zé)聲明:以上所展示的BUK7675-55ATR信息由會(huì)員自行提供,BUK7675-55ATR內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會(huì)員負(fù)責(zé)。買賣IC網(wǎng)不承擔(dān)任何責(zé)任。

買賣IC網(wǎng) (massivemove.com) 版權(quán)所有?2006-2019
深圳市碩贏互動(dòng)信息技術(shù)有限公司 | 粵公網(wǎng)安備 44030402000118號(hào) | 粵ICP備14064281號(hào)