BUK7880-55 /T3

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功能描述
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

BUK7880-55 /T3 技術(shù)參數(shù)

BUK78150-55A/CUX 功能描述:MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5.5A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:230pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:8W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK78150-55A/CUF 功能描述:MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:230pF @ 25V 功率 - 最大值:8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SC-73 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 BUK78150-55A,135 功能描述:MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223 制造商:nxp semiconductors 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:230pF @ 25V 功率 - 最大值:8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SC-73 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 BUK78150-55A,115 功能描述:MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223 制造商:nxp semiconductors 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:230pF @ 25V 功率 - 最大值:8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SC-73 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK769R6-80E,118 功能描述:MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:59.8nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:4682pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:182W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:9.6 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK7907-55ATE,127 BUK7908-40AIE,127 BUK7909-75AIE,127 BUK7909-75ATE,127 BUK794R1-40BT,127 BUK7C06-40AITE,118 BUK7C08-55AITE,118 BUK7C10-75AITE,118 BUK7C1R2-40EJ BUK7C1R4-40EJ BUK7C1R8-60EJ BUK7C2R2-60EJ BUK7C3R1-80EJ BUK7C3R8-80EJ BUK7C4R5-100EJ BUK7C5R4-100EJ BUK7D25-40EX BUK7E04-40A,127