BUL52AFI

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封裝
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說明
操作

BUL52AFI
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：15961889159
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號
資質：營業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導體
TO-220F
24+
-
國產品牌，替代進口

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制造商
SEME-LAB
制造商全稱
Seme LAB
功能描述
ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR

BUL52AFI 技術參數(shù)

BUL510 功能描述:TRANS NPN 450V 10A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1.25A，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:15 @ 1A，5V 功率 - 最大值:100W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 BUL49DFP 功能描述:TRANS NPN 450V 5A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.2V @ 800mA，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:4 @ 7A，10V 功率 - 最大值:34W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220FP 標準包裝:50 BUL49D 功能描述:TRANS NPN 450V 5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.2V @ 800mA，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:4 @ 7A，10V 功率 - 最大值:80W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 BUL45G 功能描述:TRANS NPN 400V 5A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:SWITCHMODE?? 包裝:管件零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 400mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:14 @ 300mA，5V 功率 - 最大值:75W 頻率 - 躍遷:12MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 BUL45D2G 功能描述:TRANS NPN 400V 5A TO-220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 400mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10 @ 2A，1V 功率 - 最大值:75W 頻率 - 躍遷:13MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 BUL741 BUL741FP BUL742A BUL742C BUL743 BUL770-S BUL804 BUL805 BUL810 BU-L8-375TIN BUL89 BUL903ED BUL98 BULB128-1 BULB39D-1 BULB49DT4 BULB7216-1 BULB7216T4