BULD110ET

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BULD110ET 技術參數(shù)

BULB903EDT4 功能描述:TRANS NPN 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:- 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:- 封裝/外殼:- 供應商器件封裝:- 標準包裝:1,000 BULB742C-1 功能描述:TRANS NPN 400V 4A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1A，3.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:25 @ 800mA，3V 功率 - 最大值:70W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 BULB7216T4 功能描述:TRANS NPN 700V 3A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:700V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 80mA，800mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:4 @ 2A，5V 功率 - 最大值:80W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1,000 BULB7216-1 功能描述:TRANS NPN 700V 3A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:700V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 80mA，800mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:4 @ 2A，5V 功率 - 最大值:80W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 BULB49DT4 功能描述:TRANSISTOR HIGH VOLTAGE 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.2V @ 800mA，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:4 @ 7A，10V 功率 - 最大值:80W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1,000 BULT118M BULT3P3 BUNDS-KT-3LE00 BUNDS-KT-3PE00 BUNDS-KT-4LE00 BUNDS-KT-4PE00 BU-P1081-12-0 BU-P1081-12-2 BU-P1081-24-0 BU-P1081-24-2 BU-P1081-36-0 BU-P1081-36-2 BU-P1081-36-4 BU-P1166-12-0 BU-P1166-12-2 BU-P1166-24-0 BU-P1166-24-2 BU-P1166-36-0