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BUZ31 H

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • BUZ31 H
    BUZ31 H

    BUZ31 H

  • 深圳市琦凌凱科技有限公司
    深圳市琦凌凱科技有限公司

    聯(lián)系人:彭先生

    電話:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中10層10A19

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • INFINEON

  • TO-220

  • 22+

  • -
  • 十年配單,只做原裝

  • BUZ31 H3045A
    BUZ31 H3045A

    BUZ31 H3045A

  • 深圳市硅宇電子有限公司
    深圳市硅宇電子有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:134242936540755-83690762

    地址:深圳市福田區(qū)福虹路世界貿易廣場A座1503

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 4644

  • I

  • TO263

  • 1219+

  • -
  • 原裝現(xiàn)貨/特價

  • BUZ31 H
    BUZ31 H

    BUZ31 H

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 638850

  • INFINEON

  • TO-220

  • 最新批次

  • -
  • OEM渠道,價格超越代理!

  • BUZ31 H3045A
    BUZ31 H3045A

    BUZ31 H3045A

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • BUZ31 H3045A
    BUZ31 H3045A

    BUZ31 H3045A

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 2400

  • INFINEON

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • BUZ31 H
    BUZ31 H

    BUZ31 H

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:何芝

    電話:19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 3500

  • Infineon

  • TO-220

  • 13+

  • -
  • Infineon一級代理,價優(yōu)

  • BUZ31 H
    BUZ31 H

    BUZ31 H

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • INFINEON

  • TO-220

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨!

  • BUZ31 H3046
    BUZ31 H3046

    BUZ31 H3046

  • 深圳市科宏特電子有限公司
    深圳市科宏特電子有限公司

    聯(lián)系人:李瑞兵

    電話:18897698645

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路華強電子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • Infineon

  • 22+

  • -
  • 原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共38條 
  • 1
BUZ31 H PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-Channel 200V Transistor
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
BUZ31 H 技術參數
  • BUZ31 E3046 功能描述:MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):14.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):200 毫歐 @ 9A,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1120pF @ 25V 功率 - 最大值:95W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:PG-TO-220-3 標準包裝:500 BUZ31 E3045A 功能描述:MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):14.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):200 毫歐 @ 9A,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1120pF @ 25V 功率 - 最大值:95W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263 標準包裝:1,000 BUZ31 功能描述:MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220AB 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):14.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):200 毫歐 @ 9A,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1120pF @ 25V 功率 - 最大值:95W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:PG-TO220-3 標準包裝:500 BUZ30AHXKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):21A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1900pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):125W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):130 毫歐 @ 13.5A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:PG-TO-220-3 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:500 BUZ30AH3045AATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 21A TO-263 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):21A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):130 毫歐 @ 13.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1900pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:PG-TO263-3 標準包裝:1 BUZ32H3045AATMA1 BUZ73 BUZ73A BUZ73A H BUZ73A H3046 BUZ73AE3046XK BUZ73AL BUZ73ALHXKSA1 BUZ73E3046XK BUZ73H3046XKSA1 BUZ73HXKSA1 BUZ73L BUZ73LHXKSA1 BUZ80A BUZZER-KIT-ND BV-001-3A BV-001-4A BV-002-1A
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