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BUZ31L H

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • BUZ31L H
    BUZ31L H

    BUZ31L H

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：何芝

    電話：19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 3500

  • Infineon

  • TO-220

  • 13+

  • -

  • Infineon一級代理，價優(yōu)

  • BUZ31L H
    BUZ31L H

    BUZ31L H

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 638850

  • INFINEON

  • TO-220

  • 最新批次

  • -

  • OEM渠道，價格超越代理！

  • BUZ31L H
    BUZ31L H

    BUZ31L H

  • 深圳市琦凌凱科技有限公司
    深圳市琦凌凱科技有限公司

    聯(lián)系人：彭先生

    電話：1331648214918276240346

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中10層10A19

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • 英飛翎

  • TO-220

  • 22+

  • -

  • 十年配單，只做原裝

  • BUZ31L H
    BUZ31L H

    BUZ31L H

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

  • 1/1頁 40條/頁 共32條 
  • 1
BUZ31L H PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-Channel 200V Transistor
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
BUZ31L H 技術參數(shù)
  • BUZ31L E3044A 功能描述:MOSFET N-CH 200V 13.5A TO-220 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:13.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:200 毫歐 @ 7A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1600pF @ 25V 功率 - 最大值:95W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:PG-TO220-3-1 標準包裝:1,000 BUZ31L 功能描述:MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220AB 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:13.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:200 毫歐 @ 7A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1600pF @ 25V 功率 - 最大值:95W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:PG-TO220-3 標準包裝:500 BUZ31HXKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:14.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:200 毫歐 @ 9A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1120pF @ 25V 功率 - 最大值:95W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:PG-TO220-3 標準包裝:500 BUZ31H3046XKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:14.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:200 毫歐 @ 9A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1120pF @ 25V 功率 - 最大值:95W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:PG-TO262-3 標準包裝:500 BUZ31 H3045A 功能描述:MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:14.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:200 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1120pF @ 25V 功率 - 最大值:95W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:PG-TO263-3 標準包裝:1 BUZ73AL BUZ73ALHXKSA1 BUZ73E3046XK BUZ73H3046XKSA1 BUZ73HXKSA1 BUZ73L BUZ73LHXKSA1 BUZ80A BUZZER-KIT-ND BV-001-3A BV-001-4A BV-002-1A BV002ASJ16049CW BV002ASQ20049CZ BV002BSQ20049CZ BV002SSQ160404CZ BV002SSQ200404CZ BV-003-1A
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