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    現(xiàn)貨
  • 深圳市桂鵬科技有限公司
    深圳市桂鵬科技有限公司

    聯(lián)系人：田小姐/高先生/李小姐

    電話(huà)：0755-828102988281039882810298

    地址：深圳市羅湖區(qū)寶安南路國(guó)都大廈-國(guó)麗15D（地王大廈周邊）

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 82810298

  • TDK

  • DIP/SMD

  • 15+

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  • 深圳現(xiàn)貨★原廠品質(zhì)★提供PCB板配單業(yè)務(wù)

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  • 深圳市湘達(dá)電子有限公司
    深圳市湘達(dá)電子有限公司

    聯(lián)系人：朱平

    電話(huà)：0755-83229772-83202753

    地址：辦公地址 幫我改成 深圳市福田區(qū)紅荔路上步工業(yè)區(qū)201棟東座4樓F02室

  • 2286

  • MURATA

  • 原廠

  • 21+

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  • 百分百進(jìn)口原裝現(xiàn)貨，價(jià)格有優(yōu)勢(shì)。

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話(huà)：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • SHINWOO

  • 原廠封裝

  • 最新批號(hào)

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  • 代理此型號(hào)，原裝正品現(xiàn)貨！

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  • 深圳市時(shí)興宇電子有限公司
    深圳市時(shí)興宇電子有限公司

    聯(lián)系人：彭先生

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    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北都會(huì)大廈A座19樓19G

  • 9943

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  • SMD

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  • 絕對(duì)公司原裝現(xiàn)貨

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  • 深圳市金嘉旭貿(mào)易有限公司
    深圳市金嘉旭貿(mào)易有限公司

    聯(lián)系人：金

    電話(huà)：0755-832599640755-23884416

    地址：中航北苑A座7A5

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  • 18+

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  • 進(jìn)口原裝特價(jià)出售

  • BUZZER 5V CIRCULAR-12.00MM
    BUZZER 5V CIRCULAR-12.00MM

    BUZZER 5V CIRCULAR-12.00MM

  • 深圳市品業(yè)電子有限公司
    深圳市品業(yè)電子有限公司

    聯(lián)系人：李小姐

    電話(huà)：0755-23895664

    地址：華強(qiáng)街道振華路深紡大廈C座2樓2H55

  • 47624

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BUZZER 技術(shù)參數(shù)
  • BUZ80A 功能描述:MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.6A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1350pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 BUZ73LHXKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 3.5A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:840pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 BUZ73L 功能描述:MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 3.5A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:840pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 BUZ73HXKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 4.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:530pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 BUZ73H3046XKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 4.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:530pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 BV-003-1A BV020-5370.0 BV020-5371.0 BV020-5372.0 BV020-5373.0 BV020-5374.0 BV020-5375.0 BV020-5376.0 BV020-5377.0 BV020-5378.0 BV020-5382.0 BV020-5383.0 BV020-5384.0 BV020-5385.0 BV020-5386.0 BV020-5387.0 BV020-5388.0 BV020-5389.0
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