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BZB984-C3V3115

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
Zener Diode Array

BZB984-C3V3115 技術參數

BZB984-C3V3,115 功能描述:DIODE ZENER ARRAY 3.3V SOT663 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售配置:1 對共陽極電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:265mW 阻抗（最大值）（Zzt）:85 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-663 供應商器件封裝:SOT-663 標準包裝:1 BZB984-C3V0,115 功能描述:DIODE ZENER ARRAY 3V SOT663 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售配置:1 對共陽極電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3V 容差:±5% 功率 - 最大值:265mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-663 供應商器件封裝:SOT-663 標準包裝:1 BZB984-C2V7,115 功能描述:Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 2.7V 265mW ±5% SOT-663 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效配置:1 對共陽極電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:2.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:265mW 阻抗（最大值）（Zzt）:75 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:20μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-663 供應商器件封裝:SOT-663 標準包裝:4,000 BZB984-C2V4,115 功能描述:DIODE ZENER ARRAY 2.4V SOT663 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應配置:1 對共陽極電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:2.4V 容差:±5% 功率 - 最大值:265mW 阻抗（最大值）（Zzt）:70 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-663 供應商器件封裝:SOT-663 標準包裝:1 BZB984-C15,115 功能描述:DIODE ZENER ARRAY 15V SOT663 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售配置:1 對共陽極電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:15V 容差:±5% 功率 - 最大值:265mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 10.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-663 供應商器件封裝:SOT-663 標準包裝:1 BZB984-C8V2,115 BZB984-C9V1,115 BZD17C100P M2G BZD17C100P MHG BZD17C100P MQG BZD17C100P MTG BZD17C100P R3G BZD17C100P RFG BZD17C100P RHG BZD17C100P RQG BZD17C100P RTG BZD17C100P RUG BZD17C100P RVG BZD17C100P-E3-08 BZD17C100P-E3-18 BZD17C10P-E3-08 BZD17C10P-E3-18 BZD17C110P-E3-08