BZV55B24，115

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BZV55B24，115 技術參數(shù)

BZV55B24 L1G 功能描述:DIODE ZENER 24V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:24V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 18V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:2,500 BZV55B24 L0G 功能描述:DIODE ZENER 24V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:24V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 18V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:10,000 BZV55-B22,135 功能描述:Zener Diode 22V 500mW ±2% Surface Mount SOD-80C 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:22V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:55 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 15.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:SOD-80C 標準包裝:10,000 BZV55-B22,115 功能描述:DIODE ZENER 22V 500MW SOD80C 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:22V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:55 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 15.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:SOD-80C 標準包裝:1 BZV55B22 L1G 功能描述:DIODE ZENER 22V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:22V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:55 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 16V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:2,500 BZV55-B2V7,115 BZV55B30 L0G BZV55B30 L1G BZV55-B30,115 BZV55B33 L0G BZV55B33 L1G BZV55-B33,115 BZV55B36 L0G BZV55B36 L1G BZV55-B36,115 BZV55B39 L0G BZV55B39 L1G BZV55-B39,115 BZV55B3V0 L0G BZV55B3V0 L1G BZV55-B3V0,115 BZV55B3V3 L0G BZV55B3V3 L1G