BZV55C-39

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BZV55C-39 技術(shù)參數(shù)

BZV55C39 功能描述:Zener Diode 39V ±5% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 27.3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 BZV55-C36,115 功能描述:DIODE ZENER 36V 500MW SOD80C 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:36V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 25.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應(yīng)商器件封裝:SOD-80C 基本零件編號:BZV55C36 標準包裝:1 BZV55C36 L1G 功能描述:DIODE ZENER 36V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:36V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 27V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應(yīng)商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:2,500 BZV55C36 L0G 功能描述:DIODE ZENER 36V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:36V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 27V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應(yīng)商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:10,000 BZV55C36 功能描述:Zener Diode 36V ±6% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:36V 容差:±6% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 25.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 BZV55C3V3 L1G BZV55-C3V3,115 BZV55-C3V3,135 BZV55C3V3-TP BZV55C3V6 BZV55C3V6 L0G BZV55C3V6 L1G BZV55-C3V6,115 BZV55C3V6-TP BZV55C3V9 BZV55C3V9 L0G BZV55C3V9 L1G BZV55-C3V9,115 BZV55C3V9-TP BZV55C43 BZV55C43 L0G BZV55C43 L1G BZV55-C43,115