BZX55C30MVG

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BZX55C30MVG 技術(shù)參數(shù)

BZX55C30_T50R 功能描述:Zener Diode 30V 500mW ±7% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:30V 容差:±7% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 22V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BZX55C30 A0G 功能描述:DIODE ZENER 30V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:30V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 22V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1V @ 100mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BZX55C30 功能描述:Zener Diode 30V 500mW ±7% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:30V 容差:±7% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 22V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BZX55C2V7-TR 功能描述:Zener Diode 2.7V 500mW Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:2.7V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:85 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BZX55C2V7-TAP 功能描述:Zener Diode 2.7V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:2.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:85 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BZX55C36 A0G BZX55C36_T50A BZX55C36_T50R BZX55C36-TAP BZX55C36-TR BZX55C39 BZX55C39 A0G BZX55C39_T50A BZX55C39_T50R BZX55C39-TAP BZX55C39-TR BZX55C3V0 BZX55C3V0 A0G BZX55C3V0_T50A BZX55C3V0_T50R BZX55C3V0-TAP BZX55C3V0-TR BZX55C3V3