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BZX55C36V T/B CNC

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BZX55C36V T/B CNC 技術(shù)參數(shù)
  • BZX55C36-TR 功能描述:Zener Diode 36V 500mW Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):36V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 27V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BZX55C36-TAP 功能描述:Zener Diode 36V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):36V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 27V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BZX55C36_T50R 功能描述:Zener Diode 36V 500mW ±6% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):36V 容差:±6% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 27V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.3V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BZX55C36_T50A 功能描述:Zener Diode 36V 500mW ±6% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):36V 容差:±6% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 27V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.3V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BZX55C36 A0G 功能描述:DIODE ZENER 36V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):36V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 27V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 100mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BZX55C3V0_T50R BZX55C3V0-TAP BZX55C3V0-TR BZX55C3V3 BZX55C3V3 A0G BZX55C3V3_T26A BZX55C3V3_T50R BZX55C3V3-TAP BZX55C3V3-TR BZX55C3V6 BZX55C3V6 A0G BZX55C3V6_T50R BZX55C3V6-TAP BZX55C3V6-TR BZX55C3V9 BZX55C3V9 A0G BZX55C3V9_T50A BZX55C3V9_T50R
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