BZX79-C6V2 T/R

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功能描述
穩(wěn)壓二極管 DIODE ZENER 5 PCT
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齊納電壓
12 V
電壓容差
5 %
電壓溫度系數
0.075 % / K
齊納電流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄電流
3 uA
最大齊納阻抗
7 Ohms
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DO-214AC
封裝
Reel

BZX79-C6V2 T/R 技術參數

BZX79C6V2 A0G 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX79C6V2 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1,000 BZX79-C68,143 功能描述:Zener Diode 68V 400mW ±5% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:68V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:240 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 47.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:5,000 BZX79-C68,133 功能描述:Zener Diode 68V 400mW ±5% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:68V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:240 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 47.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:10,000 BZX79-C68,113 功能描述:DIODE ZENER 68V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:68V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:240 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 47.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:1 BZX79-C6V8,113 BZX79-C6V8,133 BZX79-C6V8,143 BZX79C6V8_T50A BZX79C6V8_T50R BZX79C6V8-T50A BZX79C75 A0G BZX79-C75,113 BZX79-C75,133 BZX79-C75,143 BZX79C7V5 BZX79C7V5 A0G BZX79-C7V5,113 BZX79-C7V5,133 BZX79-C7V5,143 BZX79C7V5_T50A BZX79C7V5_T50R BZX79C7V5-T50A