BZX84-C4V7/DG/B2，2

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
PHABZX84-C4V7/DG/B2,215-BS VOLTAGE REGUL

BZX84-C4V7/DG/B2，2 技術參數(shù)

BZX84-C4V7,235 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 250MW SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）標準包裝:1 BZX84-C4V7,215 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 250MW SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）基本零件編號:BZX84C4V7 標準包裝:1 BZX84C4V7 TR 功能描述:Zener Diode 4.7V 350mW ±5% Surface Mount SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:350mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:1 BZX84C4V7 RFG 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 300MW SOT23 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:300mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:3,000 BZX84C4V7 功能描述:Zener Diode 4.7V 350mW ±6% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:4.7V 容差:±6% 功率 - 最大值:350mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3（TO-236）標準包裝:1 BZX84C4V7ET1 BZX84C4V7ET1G BZX84C4V7ET3 BZX84C4V7-G3-08 BZX84C4V7-G3-18 BZX84C4V7-HE3-08 BZX84C4V7-HE3-18 BZX84C4V7LT1 BZX84C4V7LT1G BZX84C4V7LT3 BZX84C4V7LT3G BZX84C4V7S-7 BZX84C4V7S-7-F BZX84C4V7T-7-F BZX84C4V7-TP BZX84C4V7TS-7-F BZX84C4V7W-7 BZX84C4V7W-7-F