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C-SD24166

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  • 制造商
  • Pentair Technical Products / Hoffman
  • 功能描述
  • ENCLOSURE WALL MOUNT STEEL GRAY
  • 制造商
  • Pentair Technical Products / Hoffman
  • 功能描述
  • ENCLOSURE, WALL MOUNT, STEEL, GRAY; Enclosure Type
C-SD24166 技術(shù)參數(shù)
  • CSD2410 功能描述:Solid State Relay SPST-NO (1 Form A) Hockey Puck 制造商:crydom co. 系列:CS 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 電路:SPST-NO(1 A 形) 輸出類型:AC,過零 導(dǎo)通電阻(最大值):- 負(fù)載電流:10A 電壓 - 輸入:3.5 ~ 15VDC 電壓 - 負(fù)載:24 ~ 280 V 安裝類型:底座安裝或面板安裝 端子類型:螺絲端子 封裝/外殼:Hockey Puck 供應(yīng)商器件封裝:- 繼電器類型:繼電器 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 CSD23382F4T 功能描述:MOSFET P-CH 12V 22A 3PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):12V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):3.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):76 毫歐 @ 500mA,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):1.35nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):235pF @ 6V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD23382F4 功能描述:MOSFET P-CH 12V 22A 3PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):12V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):3.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):76 毫歐 @ 500mA,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):1.35nC @ 6V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):235pF @ 6V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD23381F4T 功能描述:MOSFET P-CH 12V 3PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):12V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):2.3A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):175 毫歐 @ 500mA,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):1.14nC @ 6V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):236pF @ 6V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD23381F4 功能描述:MOSFET P-CH 12V 3PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):12V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):2.3A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):175 毫歐 @ 500mA,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):1.14nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):236pF @ 6V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD2425 CSD2425-10 CSD2425F CSD2425P CSD24308 CSD2440 CSD2450 CSD2475 CSD2490 CSD25201W15 CSD25202W15 CSD25202W15T CSD25211W1015 CSD25213W10 CSD25301W1015 CSD25302Q2 CSD25303W1015 CSD25304W1015
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