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CIG2MW4R7NNE

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  • CIG2MW4R7NNE
    CIG2MW4R7NNE

    CIG2MW4R7NNE

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • SAMSUNG

  • SMD

  • 最新批號

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  • CIG2MW4R7NNE 功率電感
    CIG2MW4R7NNE 功率電感

    CIG2MW4R7NNE 功率電感

  • 深圳市亞泰盈科電子有限公司
    深圳市亞泰盈科電子有限公司

    聯(lián)系人:鄭小姐

    電話:15338868823

    地址:公司地址:★★深圳市福田區(qū)佳和大廈B座1410-1411

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 300000

  • SAMSUNG/三星

  • NA

  • 12

  • -
  • 全新原裝數(shù)量均有多電話咨詢

  • CIG2MW4R7NNE
    CIG2MW4R7NNE

    CIG2MW4R7NNE

  • 深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司
    深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司

    聯(lián)系人:陳先生

    電話:0755-83228629

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1002號賽格廣場45層4503B★公司為一般納稅人,可開正規(guī)13%專

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 180770

  • SAMSUNG

  • SMD

  • 15+ROHS

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  • 一級質(zhì)量保證長期穩(wěn)定提供貨優(yōu)價美

  • 1/1頁 40條/頁 共16條 
  • 1
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CIG2MW4R7NNE 技術(shù)參數(shù)
  • CIG22LR47MNE 功能描述:470nH Shielded Multilayer Inductor 1.8A 40 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22L 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 類型:多層 材料 - 磁芯:- 電感:470nH 容差:±20% 額定電流:1.8A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):40 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CIG22L6R8MNE 功能描述:6.8μH Shielded Multilayer Inductor 800mA 203 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22L 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:- 電感:6.8μH 容差:±20% 額定電流:800mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):203 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CIG22L4R7MNE 功能描述:4.7μH Shielded Multilayer Inductor 1.1A 110 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22L 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:- 電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:1.1A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):110 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CIG22L3R3MNE 功能描述:3.3μH Shielded Multilayer Inductor 1.2A 100 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22L 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:- 電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:1.2A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):100 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CIG22L2R2MNE 功能描述:2.2μH Shielded Multilayer Inductor 1.3A 80 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22L 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:- 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:1.3A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):80 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CIGT201208EHR47MNE CIGT201208EM1R0MNE CIGT201208EM1R0SNE CIGT201208EMR47MNE CIGT201208UM1R0MNE CIGT201208UM1R5MNE CIGT201210EM1R0MNE CIGT201210UH1R0MNE CIGT201210UH1R5MNE CIGT201210UH2R2MNE CIGT201210UHR24MNE CIGT201210UHR33MNE CIGT201210UHR47MNE CIGT201210UHR47SNE CIGT201210UHR68MNE CIGT201210UM1R0MNE CIGT201210UM1R5MNE CIGT201210UMR16MNE
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