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CMZ51(TE12L,Q)

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • CMZ51(TE12L,Q)
    CMZ51(TE12L,Q)

    CMZ51(TE12L,Q)

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • TOSHIBA

  • 原廠封裝

  • 15+

  • -

  • 原裝正品，假一罰十

  • CMZ51(TE12L,Q)
    CMZ51(TE12L,Q)

    CMZ51(TE12L,Q)

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • TOSHIBA

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -

  • 代理此型號，原裝正品現(xiàn)貨！

  • CMZ51(TE12L,Q)
    CMZ51(TE12L,Q)

    CMZ51(TE12L,Q)

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯(lián)系人：陳小姐

    電話：13428937514

    地址：門市: 新華強(qiáng)廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場58樓5813室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 2815

  • TOSHIBA

  • 2011

  • -

  • 公司現(xiàn)貨!只做原裝!

  • 1/1頁 40條/頁 共7條 
  • 1
CMZ51(TE12L,Q) PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 穩(wěn)壓二極管 Diode Zener 51V 2W
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 齊納電壓
  • 12 V
  • 電壓容差
  • 5 %
  • 電壓溫度系數(shù)
  • 0.075 % / K
  • 齊納電流
  • 功率耗散
  • 3 W
  • 最大反向漏泄電流
  • 3 uA
  • 最大齊納阻抗
  • 7 Ohms
  • 最大工作溫度
  • + 150 C
  • 安裝風(fēng)格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • DO-214AC
  • 封裝
  • Reel
CMZ51(TE12L,Q) 技術(shù)參數(shù)
  • CMZ27(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:27V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 19V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-128 供應(yīng)商器件封裝:M-FLAT（2.4x3.8） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CMZ24(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:24V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 17V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-128 供應(yīng)商器件封裝:M-FLAT（2.4x3.8） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CMZ22(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:22V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 16V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-128 供應(yīng)商器件封裝:M-FLAT（2.4x3.8） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CMZ20(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:20V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 14V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-128 供應(yīng)商器件封裝:M-FLAT（2.4x3.8） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CMZ18(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:18V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 13V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-128 供應(yīng)商器件封裝:M-FLAT（2.4x3.8） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CMZ5921B BK CMZ5921B TR13 CMZ5922B BK CMZ5922B TR13 CMZ5923B BK CMZ5923B TR13 CMZ5924B BK CMZ5924B TR13 CMZ5925B BK CMZ5925B TR13 CMZ5927B BK CMZ5927B TR13 CMZ5928B BK CMZ5928B TR13 CMZ5929B BK CMZ5929B TR13 CMZ5930B BK CMZ5930B TR13
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